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IPD60R2K1CE

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.26906 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPD60R2K1CE

600V CoolMOS™ CE Power Transistor

文件:2.28068 Mbytes 页数:16 Pages

Infineon

英飞凌

IPD60R2K1CE

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.26906 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPD60R2K1CE

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.66 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD60R2K1CE_16

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

文件:1.26906 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPD60R2K1CE

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用,作为现代超结,它可以提供低导通和低开关损耗,进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS (on)和封装,适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS (on) 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好,反向恢复电荷(Q rr)较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率,进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPD60R2K1CEAUMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    600 V

  • RDS (on) @10V max:

    2100 mΩ

  • ID @25°C max:

    3.7 A

  • QG typ @10V:

    6.7 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -40 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

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更多IPD60R2K1CE供应商 更新时间2025-10-5 16:36:00