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IPD60R2K1CE中文资料500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书
IPD60R2K1CE规格书详情
描述 Description
CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用，作为现代超结，它可以提供低导通和低开关损耗，进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS （on）和封装，适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。
特性 Features
• 典型 R DS （on） 和最大 R DS (on) 之间的边距较窄
• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)
• 体二极管稳健性良好，反向恢复电荷（Q rr）较低
• 经过优化的集成 Rg
优势:
• 低通态损耗
• 低开关损耗
• 兼适于硬开关和软开关
• 易掌控的转换行为
• 提高效率，进而降低功耗
• 减轻设计工作量
• 使用简便
应用 Application
• 笔记本电脑和笔记本电脑适配器
• 低功耗充电器
• 照明
• LCD 和 LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：IPD60R2K1CE
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IPD60R2K1CEAUMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PG-TO252-3
- VDS max
：600 V
- RDS (on) @10V max
：2100 mΩ
- ID @25°C max
：3.7 A
- QG typ @10V
：6.7 nC
- Special Features
：price/performance
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-40 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- VGS(th) min
：2.5 V
- VGS(th) max
：3.5 V
- Technology
：CoolMOS™ CE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
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TO252 |
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Infineon |
24+ |
TO220-3 |
17900 |
MOSFET管 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO252 |
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原装正品 |
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23+ |
PG-TO-252 |
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Infineon |
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NA |
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INFINEO |
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