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IPD25CNE8N G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPD30N03S4L-14	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	INFINEON/英飞凌上传：深圳安世裕电子科技有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
85V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
25 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 39µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
31nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2070pF @ 40V
功率耗散（最大值）：
71W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PG-TO252-3
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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更多IPD25CNE8N供应商更新时间2025-11-16 16:30:00

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