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050N03L	文件：1.77387 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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BSZ050N03MSG	文件：501.28 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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FDD050N03B	文件：351.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPD050N03L	文件：346.17 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IPD050N03LGNT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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