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IPD036N04L

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.57 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD036N04LG

N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET

文件:2.32697 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IPD036N04LG

丝印:036N04L;Package:TO-252-3;OptiMOS3 Power-Transistor

文件:236.11 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD036N04L G

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和台式机。此外,这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。\n   • 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)\n• 极低的导通电阻 R DS(on)\n• 快速开关应用的理想之选\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少所需的并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲\n \n  ;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPD036N04LGATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)

  • VDS max:

    40 V

  • RDS (on) @10V max:

    3.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    4.9 mΩ

  • ID @25°C max:

    90 A

  • QG typ @10V:

    59 nC

  • QG typ @4.5V:

    28 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • VGS(th) min:

    1.2 V

  • VGS(th) max:

    2 V

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

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更多IPD036N04供应商 更新时间2025-11-24 15:40:00