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IPD036N04L G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD036N04L G

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-16 19:09:00

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IPD036N04L G规格书详情

描述 Description

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和台式机。此外,这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。
 

特性 Features

• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
• 极低的导通电阻 R DS(on)
• 快速开关应用的理想之选
• 符合 RoHS - 无卤素
• MSL1 评级

优势:
• 高系统效率
• 减少所需的并联
• 增加功率密度
• 降低系统成本
• 非常低的电压过冲
 
 

应用 Application

• 同步整流
• 隔离式直流-直流转换器
• 电机控制
• O 型圈开关

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD036N04L G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD036N04LGATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)

  • VDS max

    :40 V

  • RDS (on) @10V max

    :3.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :4.9 mΩ

  • ID @25°C max

    :90 A

  • QG typ @10V

    :59 nC

  • QG typ @4.5V

    :28 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • VGS(th) min

    :1.2 V

  • VGS(th) max

    :2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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