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IPC60N04S4L06ATMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 8TDSON;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
5.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
43nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
3600pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
63W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PG-TDSON-8-23
封装/外壳：
8-PowerVDFN

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