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IPC60N04S4L06ATMA1芯片价格IR/国际整流器天卓伟业
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号
：IPC60N04S4L06ATMA1
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：5.6 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 30µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：43nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±16V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：3600pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：63W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：PG-TDSON-8-23
- 封装/外壳
：8-PowerVDFN
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