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IPC042N03L3

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

凭借全新 OptiMOS ™ 30V 产品系列,英飞凌为分立功率 MOSFET 的功率密度和能效树立了新标准。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。 • 一流的导通电阻\n• 由于 R on x Q g 和 R on x Q gd 的最低品质因数,实现了基准开关性能\n• 低栅极电阻\n• 出色的 5V 栅极驱动性能\n• 基于集成阻尼网络优化的 EMI 行为\n• 超级势垒二极管可将效率提高 2% 以上。;

Infineon

英飞凌

IPC042N03L3

N-channel enhancement mode

文件:1.81171 Mbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

IPC100N04S5-1R2

INFINEON

Infineon

英飞凌

上传:深圳市华高宇电子有限公司

IPC100N04S5-1R9

INFINEON/英飞凌
TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市钜韬电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IPC100N04S51R9ATMA1

INFINEON
PG-TDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市周芯芯半导体有限公司

技术参数

  • RDS (on):

    0.83 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    50 mΩ

  • VBRDSSmax:

    30 V

  • VDS:

    30 V

  • VDSmax:

    30 V

  • VGS(th):

    1 V to 2.2 V

  • Thickness:

    175

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

  • Polarity:

    N

  • Mode:

    Enhancement

  • Die Size(-):

    1.53 mm² to 2.78 mm²

  • Die Size(Area):

    4.25 mm²

  • Die Size(Y):

    1.53 mm

  • Die Size(X):

    2.78 mm

  • Output Drivers:

    1

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INFINEON
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更多IPC042N03L3供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00