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IPC042N03L3中文资料适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPC042N03L3

功能描述

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:10:00

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IPC042N03L3规格书详情

描述 Description

凭借全新 OptiMOS ™ 30V 产品系列,英飞凌为分立功率 MOSFET 的功率密度和能效树立了新标准。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。

特性 Features

• 一流的导通电阻
• 由于 R on x Q g 和 R on x Q gd 的最低品质因数,实现了基准开关性能
• 低栅极电阻
• 出色的 5V 栅极驱动性能
• 基于集成阻尼网络优化的 EMI 行为
• 超级势垒二极管可将效率提高 2% 以上。

技术参数

  • 制造商编号

    :IPC042N03L3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)

    :0.83 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :50 mΩ

  • VBRDSSmax

    :30 V

  • VDS

    :30 V

  • VDSmax

    :30 V

  • VGS(th)

    :1 V to 2.2 V

  • Thickness

    :175

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

  • Polarity

    :N

  • Mode

    :Enhancement

  • Die Size(-)

    :1.53 mm² to 2.78 mm²

  • Die Size(Area)

    :4.25 mm²

  • Die Size(Y)

    :1.53 mm

  • Die Size(X)

    :2.78 mm

  • Output Drivers

    :1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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