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IPB90N04S4-02

20V-650V汽车级MOSFET

• N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品(符合 RoHS)\n• 100% 经过雪崩测试\n\n\n优势:\n• 40V 时, RDS (on)为世界极低值\n• 极高的冲击电流能力\n• 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率\n• 稳固的封装,出色的品质,高可靠性\n• 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级;

Infineon

英飞凌

IPB90N04S4-02

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:164.22 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPC100N04S5-1R2

Infineon

英飞凌

上传:深圳市华高宇电子有限公司

IPC100N04S5-1R9

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市钜韬电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IPC100N04S51R9ATMA1

PG-TDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市周芯芯半导体有限公司

技术参数

  • OPN:

    IPB90N04S402ATMA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    D2PAK (PG-TO263-3)

  • VDS max:

    40 V

  • RDS (on) @10V max:

    2.1 mΩ

  • ID @25°C max:

    90 A

  • QG typ @10V:

    91 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • Technology:

    OptiMOS™-T2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多IPB90N04S4供应商 更新时间2025-11-25 19:32:00