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IPB90N04S4-02中文资料20V-650V汽车级MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB90N04S4-02

功能描述

20V-650V汽车级MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:36:00

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IPB90N04S4-02规格书详情

特性 Features

• N 通道 - 增强模式
• AEC 认证
• MSL1 峰值回流温度高达 260°C
• 175°C 的工作温度
• 环保产品(符合 RoHS)
• 100% 经过雪崩测试


优势:
• 40V 时, RDS (on)为世界极低值
• 极高的冲击电流能力
• 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
• 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
• 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级

应用 Application

• OptiMOS-T2 40V 适用于各种 EPS 电机控制、三相和 H 桥电机、HVAC 风扇控制、电动泵等,特别适合与 PWM 控制结合使用。

• OptiMOS-T2 40V 产品基于英飞凌先进沟槽栅技术,将成为下一代高能效、低 CO2 排放、电驱动汽车应用的标杆。
仿真/ SPICE-型号

技术参数

  • 制造商编号

    :IPB90N04S4-02

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPB90N04S402ATMA1

  • Qualification

    :Automotive

  • Package name

    :D2PAK (PG-TO263-3)

  • VDS max

    :40 V

  • RDS (on) @10V max

    :2.1 mΩ

  • ID @25°C max

    :90 A

  • QG typ @10V

    :91 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • Technology

    :OptiMOS™-T2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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