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IPB80P04P4-05	文件：212.96 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：212.96 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4-07	文件：231.38 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：231.38 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4L-04	文件：316.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：316.85 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4L-06	文件：311.23 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：311.23 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4L-08	文件：211.43 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：211.43 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V、P 沟道、最大 4.4mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2 • P沟道逻辑电平增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P4L-06	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V、P 沟道、最大 6.4mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2 • P-channel - Logic Level - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n Simulation/SPICE-Model \n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80P04P407ATMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPB80P04P405ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
-40 V
RDS (on) @10V max：
4.9 mΩ
ID @25°C max：
-80 A
QG typ @10V：
116 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
OptiMOS™-P2

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更多IPB80P04P4供应商更新时间2025-11-25 14:13:00

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