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IPB80N06S3-05

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB80N06S3-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Infineon

英飞凌

IPI80N06S3-05

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPP80N06S3-05

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    55V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    80A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    5.1 毫欧 @ 63A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    4V @ 110µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    240nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    10760pF @ 25V

  • 功率耗散(最大值):

    165W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    PG-TO263-3-2

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
英飞凌
24+
5000
全新、原装
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INFINEON
24+
PG-TO263-3D2-PAK(T
8866
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INFINE0N
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TO-263
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Infineon Technologies
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PG-TO263-3-2
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TO263-3
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SOT263
50000
全新原装正品现货,支持订货
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Infineon
22+
TO-263
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十年配单,只做原装
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SOT263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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更多IPB80N06S3-05供应商 更新时间2024-2-29 11:17:00