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IPB80N06S3-05中文资料MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB80N06S3-05
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：55V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：5.1 毫欧 @ 63A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 110µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：240nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：10760pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：165W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：PG-TO263-3-2
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
PG-TO263-3D2-PAK(T |
8866 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO263-3-2 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
SOT263 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
SOT263 |
7000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INENOI |
07+ |
SOT263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263-3-2 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
TO-263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 |
