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IPB80N04S3H4ATMA1数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB80N04S3H4ATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：4.5 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 65µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：60nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：3900pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：115W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：PG-TO263-3-2
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
30000 |
只做原装 只有原装 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
SOT263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON |
25+23+ |
TO263 |
74703 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO263-3-2 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
