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IPB77N06S3-09数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPB77N06S3-09

功能描述

OptiMOS®-T Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:36:00

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技术参数

  • 型号:

    IPB77N06S3-09

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 77A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
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INENOI
08+
SOT223
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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INFINEON/英飞凌
2022+
SOT263
8000
原厂代理 终端免费提供样品
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986966
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