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IPB77N06S3-09中文资料OptiMOS®-T Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB77N06S3-09

功能描述

OptiMOS®-T Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:01:00

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技术参数

  • 型号:

    IPB77N06S3-09

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 77A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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INFINEON
2012+
TO-263
12000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
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INFINEON/英飞凌
2447
SOT223
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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INFINEON/英飞凌
23+
SOT223
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
INFINEON
23+
TO-263
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
infineon
1709+
to-263/d2
32500
普通
询价
INF
21+
TO-263-2
10000
原装现货假一罚十
询价
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
询价
Infineon
22+
NA
2118
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