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IPB65R075CFD7A

650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A

采用 D2PAK 3 引脚封装的 75 mOhm IPB65R075CFD7A 属于汽车级 650V CoolMOS ™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 产品系列的一部分。与上一代产品相比,CoolMOS ™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度,同时提高了设计灵活性。 • CoolMOS ™ 7 系列\n• 低存储能量 COSS\n• 汽车认证\n• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™;

Infineon

英飞凌

IPB65R075CFD7A

丝印:65A075F7;Package:PG-TO263-3;650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.42482 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPBE65R075CFD7A

MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.42673 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPP65R075CFD7A

650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device

文件:1.75509 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPP65R075CFD7A

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 75mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Unidirectional · Bidirectional DC-DC converters · On-Board battery Chargers

文件:398.92 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • ID (@25°C) max:

    32 A

  • IDpulsmax:

    139 A

  • QG:

    68 nC

  • QG(typ @10V) max:

    68 nC

  • RDS (on)max:

    75 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    75 mΩ

  • VDSmax:

    650 V

  • VGS(th):

    4 V

  • Mounting:

    SMT

  • Package:

    D2PAK

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 150 °C

  • Technology:

    CoolMOS™ CFDA

  • Polarity:

    N

  • Qualification:

    Automotive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多IPB65R075CFD7A供应商 更新时间2025-12-14 14:13:00