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IPBE65R075CFD7A	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V CoolMOS ™ N沟道汽车SJ功率MOSFET CFD7A \n优势:\n• 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性\n• 实现更高功率密度设计\n• 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级\n• 提供丰富的产品组合;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPBE65R075CFD7A	文件：1.42673 Mbytes Page：14 Pages	丝印：65A075F7；Package：PG-TO263-7-11；MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.42673 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP65R075CFD7A	文件：398.92 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 75mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Unidirectional · Bidirectional DC-DC converters · On-Board battery Chargers 文件：398.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP65R075CFD7A	文件：1.75509 Mbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.75509 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW65R075CFD7A	文件：1.54948 Mbytes Page：14 Pages	MOSFET 650V CoolMOS짧 CFD7A SJ Power Device 文件：1.54948 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IPBE65R075CFD7A供应商更新时间2024-2-29 11:17:00