丝印：133N12N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 120 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching • Pb‑free lead plating; RoHS co

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英飞凌

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET，正常电平 120 V，采用 D²PAK 3 引脚封装

这是 D²PAK 3 针封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。 • 与 OptiMOS ™相比，该技术特点如下：\n• FOMg\n• Qrr 提高高达 50%;

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