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IPB120N04S4L-02	文件：209.3 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM-T2 Power-Transistor 文件：209.3 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPB120N04S4L-02	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 沟道、最大 1.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2 • N沟道逻辑电平增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPB120N04S4L-02供应商更新时间2025-12-12 11:16:00