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IPB120N04S4L-02中文资料40 V、N 沟道、最大 1.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB120N04S4L-02

功能描述

40 V、N 沟道、最大 1.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 21:26:00

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IPB120N04S4L-02规格书详情

特性 Features

• N沟道逻辑电平增强模式

• 符合汽车 AEC Q101 标准

• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值

• 工作温度为 175°C

• 绿色封装(符合 RoHS 标准)

• 100% Avalanche 测试

• 支持 PPAP 的设备

应用 Application

• 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

技术参数

  • 制造商编号

    :IPB120N04S4L-02

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :480 A

  • Ptotmax

    :158 W

  • QG(typ @10V) max

    :190 nC

  • QG(typ @10V)

    :143 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.7 mΩ

  • RthJCmax

    :0.95 K/W

  • VDSmax

    :40 V

  • VGS(th)

    :1.7 V

  • Package

    :D2PAK (PG-TO263-3)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™-T2

  • Launch year

    :2013

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2028

  • Qualification

    :Automotive

  • Budgetary Price €/1k

    :0.89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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