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IPB114N03L G数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB114N03L G
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：11.4 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：14nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1500pF @ 15V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：38W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineo |
21+ |
TO-263 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VB |
21+ |
PG-TO263-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
TO-263 |
15000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO-263 |
15500 |
原厂原装正品 |
询价 |
