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IPB100P03P3L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET ·P-channel - Logic Level - Enhancement mode\n ·Automotive AEC Q101 qualified\n ·MSL1 up to 260°C peak reflow\n ·175°C operating temperature\n ·Green package (RoHS Compliant)\n ·Ultra low Rds(on)\n ·100% Avalanche tested\n ·Intended for reverse battery protection;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB100P03P3L-04	文件：196.96 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P Trench Power-Transistor 文件：196.96 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPB107N20N3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263-3	Infineon 英飞凌上传：深圳市勤思达科技有限公司	Infineon
IPB108N15N3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	Infineon 英飞凌上传：深圳市品优时代科技有限公司	Infineon

技术参数

ID max：
-100.0A
RDS (on)(@10V) max：
4.0mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
7.3mΩ
QG(typical) ：
150.0nC
VGS(th) min max：
-1.0V -2.0V

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更多IPB100P03P3L供应商更新时间2025-11-23 9:11:00

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