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IPB100N04S4-H2	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	Infineon 英飞凌上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	Infineon
IPB107N20N3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263-3	Infineon 英飞凌上传：深圳市勤思达科技有限公司	Infineon
IPB107N20N3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	INFINEON/英飞凌上传：深圳诚思涵科技有限公司	INFINEON/英飞凌

详细参数

型号：
IPB091N06NG
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	IPB091N06NG	infineon	1709+	to-263/d2	32500	普通	询价
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更多IPB091N06NG供应商更新时间2025-12-2 10:50:00

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