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IPB039N04L	文件：244.78 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB039N04LG	文件：344.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：344.6 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB039N04LGATMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP039N04L	文件：339.74 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP039N04LG	文件：344.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：344.6 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
3.9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
78nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
6100pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
94W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPB039N04L	Infineon	22+	TO263-3	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB039N04L	ADI	23+	D2PAK(TO-263)	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IPB039N04L	ADI	23+	D2PAK(TO-263)	7000		询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IPB039N04L	INFINEON/英飞凌	22+	TO263-3	92873		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IPB039N04L	I	25+	TO263	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IPB039N04LG	infineon	12+	TO-263	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市一线半导体有限公司	IPB039N04LG	INFINEON	24+	D2PAK(TO-263)	8866		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IPB039N04LG	INF	23+	TO263	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多IPB039N04L供应商更新时间2025-12-1 14:02:00

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