20V-300V N-Channel Power MOSFET

75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具有极低的导通电阻和出色的开关性能。 • 针对同步整流进行技术优化\n• 优异的开关性能\n• 世界较低的 (RDs(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RohS - 无卤素\n• MSL3 评级\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少所需的并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • Optimized technology for synchronous rectification • Ideal for high frequency switching and DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qua

文件：221.49 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：263.41 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

TO-263

Infineon

英飞凌

上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

原厂封装

Infineon

英飞凌

上传：深圳市朱博士电子科技有限公司