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IPB031NE7N3	文件：263.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB031NE7N3G	文件：221.49 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features •Optimizedtechnologyforsynchronousrectification •IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qua	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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IPB031NE7N3

文件：263.41 Kbytes

Page：2 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPB031NE7N3G

文件：221.49 Kbytes

Page：9 Pages

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features •Optimizedtechnologyforsynchronousrectification •IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qua

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

详细参数

型号：
IPB031NE7N3
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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