OptiMOSTM Power-Transistor

文件：649.62 Kbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

New OptiMOS??40V and 60V

文件：1.02174 Mbytes 页数：2 Pages

INFINEON

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。 • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比，品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲;

Infineon

英飞凌

Power MOSFET 60 V, 15 m, 37 A, Single N?묬hannel

文件：327.54 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 60 V, 15 m, 37 A, Single N?묬hannel

文件：327.54 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET – Power, Single N-Channel 60 V, 15 m, 37 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK4 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件：345.57 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体