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IPB014N06N	文件：649.62 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB014N06N	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	New OptiMOS??40V and 60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC014N06NS	文件：556.16 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTMPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC014N06NS	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	NewOptiMOS??40Vand60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC014N06NSSC	文件：982.36 Kbytes Page：11 Pages	MOSFETOptiMOSTMPower-Transistor,60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
BSC014N06NST	文件：1.56456 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTMPower-Transistor,60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
NTMYS014N06CL	文件：327.54 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET60V,15m,37A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTMYS014N06CLTWG	文件：327.54 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET60V,15m,37A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVMYS014N06CL	文件：345.57 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET–Power,SingleN-Channel60V,15m,37A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK4Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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详细参数

型号：
IPB014N06N
功能描述：
MOSFET 60V TO-263
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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