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IPAK(TO-251)	文件：187.26 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal design - Low area specific on-resistance - Low input capacitance (Ciss) - Reduced capacitive switching losses - High body diode ruggedness - Avalanche energy rated (UIS) • Optimal efficiency and operation - Low cost - Simple gate drive circui 文件：187.26 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IPAK(TO-251)	文件：187.34 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：187.34 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IPAK(TO-251)	文件：300 bytes Page：1 Pages	D Series Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package ：
IPAK SL (TO-251 SL)
VDS max：
30.0V
RDS (on) max：
3.1mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
4.4mΩ
Polarity ：
N
ID max：
90.0A
Ptot max：
94.0W
IDpuls max：
400.0A
VGS(th) min max：
1.0V 2.2V
QG ：
25.0nC
Rth ：
1.6K/W
Ciss ：
4000.0pF
Coss ：
1400.0pF

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更多IPAK供应商更新时间2026-10-31 14:02:00

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