丝印：8R1K4CE；Package：PG-TO220FullPAK；High peak current capability

Features •Highvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Lowgatecharge •Loweffectivecapacitances •Pb-freeplating,RoHSCompliant,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforconsumergradeapplications

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Infineon

英飞凌

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。CE产品专注于消费者电子应用以及照明产业。新推出的 800V 精选系列产品是专门为 LED 应用而设计的。英飞凌用这一特定 CoolMOS™ 系列，将长期以来作为行业领先的超结 MOSFET 供应商经验与顶级的创新很好地结合了起来。 • 特定导通电阻低（R DS（on）* A）\n• 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低\n• 低栅极电荷 (Qg)\n• 经过现场验证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率，高功率密度\n• 超高性价比\n• 高可靠性\n• 使用方便;

Infineon

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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