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IPD80R1K4CE

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。CE产品专注于消费者电子应用以及照明产业。新推出的 800V 精选系列产品是专门为 LED 应用而设计的。英飞凌用这一特定 CoolMOS™ 系列,将长期以来作为行业领先的超结 MOSFET 供应商经验与顶级的创新很好地结合了起来。 • 特定导通电阻低(R DS(on)* A)\n• 输出电容为(E oss)@ 400V 时,能量储存非常低\n• 低栅极电荷 (Qg)\n• 经过现场验证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来,英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率,高功率密度\n• 超高性价比\n• 高可靠性\n• 使用方便;

Infineon

英飞凌

IPD80R1K4CE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:2.43724 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IPU80R1K4CE

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:309.31 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPU80R1K4CE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:2.43724 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

IPX80R1K4CE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPD80R1K4CEATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    800 V

  • RDS (on) @10V max:

    1400 mΩ

  • ID @25°C max:

    3.9 A

  • QG typ @10V:

    23 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • VGS(th) min:

    2.1 V

  • VGS(th) max:

    3.9 V

  • Technology:

    CoolMOS™ CE

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更多IPD80R1K4CE供应商 更新时间2025-10-5 13:01:00