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IPA80R1K0CE	文件：1.04916 Mbytes Page：15 Pages	High peak current capability 文件：1.04916 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA80R1K0CE	文件：260.95 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA80R1K0CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET 800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。CE产品专注于消费者电子应用以及照明产业。新推出的 800V 精选系列产品是专门为 LED 应用而设计的。英飞凌用这一特定 CoolMOS™ 系列，将长期以来作为行业领先的超结 MOSFET 供应商经验与顶级的创新很好地结合了起来。 • 特定导通电阻低（R DS（on）* A）\n• 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低\n• 低栅极电荷 (Qg)\n• 经过现场验证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率，高功率密度\n• 超高性价比\n• 高可靠性\n• 使用方便;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD80R1K0CE	文件：336.39 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD80R1K0CE	文件：2.32174 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.32174 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPU80R1K0CE	文件：2.32174 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.32174 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPA80R1K0CEXKSA2
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
800 V
RDS (on) @10V max：
950 mΩ
ID @25°C max：
5.7 A
QG typ @10V：
31 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.9 V
Technology：
CoolMOS™ CE

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更多IPA80R1K0CE供应商更新时间2025-10-13 17:22:00

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