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IPD80R1K0CE	文件：2.32174 Mbytes Page：15 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：2.32174 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD80R1K0CE	文件：336.39 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD80R1K0CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET 800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。CE产品专注于消费者电子应用以及照明产业。新推出的 800V 精选系列产品是专门为 LED 应用而设计的。英飞凌用这一特定 CoolMOS™ 系列，将长期以来作为行业领先的超结 MOSFET 供应商经验与顶级的创新很好地结合了起来。 • 特定导通电阻低（R DS（on）* A）\n• 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低\n• 低栅极电荷 (Qg)\n• 经过现场验证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率，高功率密度\n• 超高性价比\n• 高可靠性\n• 使用方便;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPU80R1K0CE	文件：247.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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技术参数

OPN：
IPD80R1K0CEATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO252-3
VDS max：
800 V
RDS (on) @10V max：
950 mΩ
ID @25°C max：
5.7 A
QG typ @10V：
31 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.9 V
Technology：
CoolMOS™ CE

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