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IPA60R1K0CE	文件：871.46 Kbytes Page：13 Pages	600V CoolMOS??CE Power Transistor 文件：871.46 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA60R1K0CE	文件：260.99 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA60R1K0CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET CoolMOS™CE适用于硬开关应用和软开关应用，作为现代超结，它可以提供低导通和低开关损耗，进而提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS™CE 结合了最佳的 RDS （on）和封装，适用于手机和平板电脑的低功耗充电器。 • 典型 R DS （on）和最大 R DS (on) 之间的边距较窄\n• 减少了储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 体二极管稳健性良好，反向恢复电荷（Q rr）较低\n• 经过优化的集成 Rg\n\n优势:\n• 低通态损耗\n• 低开关损耗\n• 兼适于硬开关和软开关\n• 易掌控的转换行为\n• 提高效率，进而降低功耗\n• 减轻设计工作量\n• 使用简便;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD60R1K0CE	文件：2.36505 Mbytes Page：16 Pages	600V CoolMOS™ CE Power Transistor 文件：2.36505 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD60R1K0CE	文件：335.78 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD60R1K0CE	文件：1.55701 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS짧 CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications 文件：1.55701 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPA60R1K0CEXKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
600 V
RDS (on) @10V max：
1000 mΩ
ID @25°C max：
6.8 A
QG typ @10V：
13 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-40 °C
Operating Temperature max：
150 °C
VGS(th) min：
2.5 V
VGS(th) max：
3.5 V
Technology：
CoolMOS™ CE

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