NJM3775D2NJR(新日本无线)电机驱动器
NJM3775D2 NJR (新日本无线) 电机驱动器，NJM3775D2 中文资料规格参数 技术参数 电源电压(DC)5.00 V 供电电流70.0 mA 其他 产品生命周期Active 包装方式Bulk 封装参数 安装方式Through Hole 封装DIP-22 外形尺寸 封装DIP-22 符合标准 RoHS标准符合 RoHS 含铅标准无铅
TXS0108ERGYRTI(TI)电压电平转换器
TXS0108ERGYR TI (TI) 电压电平转换器，TXS0108ERGYR 中文资料规格参数 技术参数 电源电压(DC)1.20 V (min) 位数8 其他 产品生命周期Active 包装方式Cut Tape (CT)， Tape & Reel (TR) 封装参数 引脚数20 封装VQFN 外形尺寸 封装VQFN 符合标准 RoHS标准Compliant 含铅标准Lead Free REACH SVHC标准 No SVHC 产品概述 TEXAS INSTRUME
SN74AVC1T45DCKRTI(TI)电压电平转换器
SN74AVC1T45DCKR TI (TI) 电压电平转换器，产品概述 TEXAS INSTRUMENTS SN74AVC1T45DCKR 逻辑芯片， 非反相收发器， SC-70-6 The SN74AVC1T45DCKR is a single-bit dual-supply Bus Transceiver with configurable voltage translation and_3-state outputs. The SN74AVC1T45 is optimized to o
ATA6560-GAQWATMEL(爱特美尔)CAN芯片
ATA6560-GAQW ATMEL (爱特美尔) CAN芯片，ATA6560-GAQW 中文资料规格参数 其他 产品生命周期Active 包装方式Tape & Reel (TR) 封装参数 安装方式Surface Mount 封装8-SOIC (0.154， 3.90mm Width) 外形尺寸 封装8-SOIC (0.154， 3.90mm Width) 符合标准 RoHS标准Compliant 含铅标准无铅
现货便宜 现货便宜 慢了拍大腿
FOD817A3SD 43K CAT24C64WI-GT3 NDS0605 51K IRF740PBF 15K US1MHE3_A/H 72优势出 ，FOD817A3SD 43K CAT24C64WI-GT3 NDS0605 51K IRF740PBF 15K US1MHE3_A/H 72优势出 对上SL 有要的联系联系方式 赵先生 电话 13283360650（微信：z13255442093）qq2881499150所有物料无法完全展示（库存现货7万+种）
TAJC686M016RNJ
TAJC686M016RNJ，TAJC686M016RNJ_TAJC686M016RNJ导读 所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。 TAJC686M016RNJ_TAJC686M016RNJ TLJW227M006R0200 057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。 BYP35066A BYP35014A
TAJC686M010RNJ
TAJC686M010RNJ，TAJC686M010RNJ_TAJC686M010RNJ导读 小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。 TAJC686M010RNJ_TAJC686M010RNJ TAJD476K010RNJ TAJA225M010RNJ
TAJC686M006RNJ
TAJC686M006RNJ，TAJC686M006RNJ_TAJC686M006RNJ导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 TAJC686M006RNJ_TAJC686M006RNJ TLJA227M004R1100 TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004
TAJC686K010RNJ
TAJC686K010RNJ，TAJC686K010RNJ_TAJC686K010RNJ导读 N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。 TAJC686K010RNJ_TAJC686K010RNJ TAJC107M006RNJ IGBT是通过在
STM32WLE5CCU6
STM32WLE5CCU6，製造商: STMicroelectronics 產品類型: ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細資料 系列: STM32WLE5CC 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: UFQFPN-48 核心: ARM Cortex M4 程序內存大小: 256 kB 數據匯流排寬度: 32 bit ADC解析度: 12 bit 最高時鐘頻率: 48 MHz 輸入/輸出數: 43 I/O 數據存儲器大小: 64 kB 工作電
STM32H735IGK6
STM32H735IGK6，製造商: STMicroelectronics 產品類型: ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細資料 系列: STM32 封裝: Tray 品牌: STMicroelectronics 濕度敏感: Yes 產品類型: ARM Microcontrollers - MCU 原廠包裝數量: 1008 子類別: Microcontrollers - MCU 公司名稱: STM32 每件重量: 111 mg
BTS7200-2EPA
https://hfx03.114ic.com/，型号 BTS7200-2EPA 品牌 INFINEON/英飞凌 批次 22+ 封装 TSDSO14 原装现货 假一罚十 价格优势 先到先得 支持实单 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型: High Side 输出端数量: 2 Output 输出电流: 1.2 A 导通电阻—最大值: 120 mOhms
BTS5090-1EJA
https://hfx03.114ic.com/，型号 BTS5090-1EJA 品牌 INFINEON/英飞凌 批次 21+ 封装 SOP8 原装现货 假一罚十 价格优势 先到先得 支持实单产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型: High Side 输出端数量: 1 Output 输出电流: 3 A 电流限制: 20 A 导通电阻—最大值: 90 mO
BTS7012-1EPA
https://hfx03.114ic.com/，型号 BTS7012-1EPA 品牌 INFINEON/英飞凌 批次 22+ 封装 TSSOP-14 原装现货 假一罚十 价格优势 先到先得 支持实单 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型: High Side 输出端数量: 1 Output 输出电流: 8.5 A 导通电阻—最大值: 21.5 mOhms
BTS7030-2EPA
https://hfx03.114ic.com/，型号 BTS7030-2EPA 品牌 INFINEON/英飞凌 批次 21+ 封装 TSDSO-14 原装现货 假一罚十 价格优势 先到先得 支持实单 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型: High Side 输出端数量: 2 Output 输出电流: 4.5 A 导通电阻—最大值: 13.5 mOhms
型号： BC847BS 品牌 NEXPERIA/安世 封装SOT-363
原装现货 ！，型号： BC847BS 品牌 NEXPERIA/安世 封装SOT-363 制造商: Nexperia 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSSOP-6 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 45 V 集电极—基极电压 VCBO: 50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 集电极—射极
TLV75801PDBVR SOT23-5 TI/德州仪器 低压差稳压器 进口原装 全新现货
TLV75801PDBVR SOT23-5 TI/德州仪器 低压差稳压器 进口原装 全新现货，具有使能功能的 500mA、低 IQ、高精度、可调节超低压降稳压器 TLV758P 的特性 输入电压范围：1.5V 至 6.0V 可调节输出电压： 0.55V 至 5.5V 低压降： 500mA 时为 130mV（最大值）(3.3 VOUT) 高输出精度：0.7%（典型值）和 1%（工作温度范围内的最大值） IQ：25μA（典型值） 内置软启动功能，具有单调 VOUT 上升 封装：
TAJB685K006RNJ
TAJB685K006RNJ，TAJB685K006RNJ_TAJB685K006RNJ导读 N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。 TAJB685K006RNJ_TAJB685K006RNJ TAJD226K025RNJ BYP35066A BYP35014A B
TAJB684M050RNJ
TAJB684M050RNJ，TAJB684M050RNJ_TAJB684M050RNJ导读 N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。 TAJB684M050RNJ_TAJB684M050RNJ TAJC476K016RNJ 057N08N
TAJB684M035RNJ
TAJB684M035RNJ，TAJB684M035RNJ_TAJB684M035RNJ导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 TAJB684M035RNJ_TAJB684M035RNJ TLJK226M010R1800 TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050R
TAJB476K006RNJ
TAJB476K006RNJ，TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ导读 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。 TAJB476K006RNJ_TAJB476K006RNJ TAJE476K025RNJ 040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。 AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS
TAJB476K004RNJ
TAJB476K004RNJ，TAJB476K004RNJ_TAJB476K004RNJ导读 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 TAJB476K004RNJ_TAJB476K004RNJ TAJU477M010RNJ TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334
TAJB475M025RNJ
TAJB475M025RNJ，TAJB475M025RNJ_TAJB475M025RNJ导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 TAJB475M025RNJ_TAJB475M025RNJ TAJV337M010RNJ TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
TAJB475M020RNJ
TAJB475M020RNJ，TAJB475M020RNJ_TAJB475M020RNJ导读 小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。 TAJB475M020RNJ_TAJB475M020RNJ TAJB335K025RNJ BYP35066A BYP35
LMV321AIDBVR
公司原装现货，MST9114Q1 21+ NT68772HUFG 20+ GD32F103VET6 22+ GD32F303VCT6 22+ ADS8548SPM 21+ MCP1702T-3302E/CB
