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    深圳港嘉电子有限公司2015-10-14 14:36:00
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    深圳港嘉电子有限公司2015-10-14 14:35:00
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    FDT3612 主要参数: 分立半导体产品 FET 类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能: 标准 漏源极电压(Vdss): 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.7A(Ta) 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 120 毫欧 @ 3.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅,FDT3612 主要参数: 分立半导体产品 FET 类型 : MOSFET N 通

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    深圳市汇景欣电子有限公司2015-10-14 12:45:00
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    AT24C256BN-SH-B 主要参数: 存储器 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行 存储器类型: EEPROM 存储容量 : 256K(32K x 8) 速度 : 400kHz,1MHz 接口: I²C,2 线串口 电压 - 电源: 1.8 V ~ 5.5 V 工作温度 : -40°C ~ 85°C 封装: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 原装进口★现货正品★原厂授权中,AT24C256BN-SH-B 主要参数: 存储器 格式 - 存储器:

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    深圳市汇景欣电子有限公司2015-10-14 12:43:00
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    深圳市鑫欧美电子有限公司2015-10-14 12:03:00
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    深圳市腾迅辉电子科技有限公司2015-10-14 11:28:00
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