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XC6VLX240T-2FFG1156I 厂商： Xilinx 描述： IC FPGA VIRTEX 6 241K 1156FFBGA，品牌：XILINX 型号：XC6VLX240T-2FFG1156I 封装：BGA 库存：500 参数 产品变化通告 Virtex-6 FIFO Input Logic Reset 18/Apr/2011 家庭 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 其它名称 122-1698 输入/输出数 600 电源电压 0.95 V ~ 1.
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温度传感器，传感器类型：模拟，本地 检测温度 - 本地：-40°C ~ 125°C 输出类型：模拟电压 电压 - 电源：2.5 V ~ 5.5 V 分辨率：10mV/°C 精度 - 最高（最低）：±2°C（±3°C） 测试条件：25°C（125°C） 工作温度：-40°C ~ 125°C 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装：SOT-23-3 亚泰盈科：maximaic.114ic.com 亚泰盈科：a13168780808.mmic.net
传感器，用于测量：AC/DC 传感器类型：霍尔效应，开环 电流 - 检测：20A 通道数：1 输出：比率，电压 灵敏度：100mV/A 频率：DC ~ 80kHz 线性度：±1.5% 精度：±1.5% 电压 - 电源：5V 响应时间：5μs 电流 - 电源（最大值）：13mA 工作温度：-40°C ~ 85°C 极化：双向 安装类型：表面贴装 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 亚泰盈科：maximaic.114ic.com 亚泰盈科：a131
温度传感器，传感器类型：数字，本地 检测温度 - 本地：-55°C ~ 125°C 输出类型：1-Wire? 电压 - 电源：3 V ~ 5.5 V 分辨率：11 b 特性：单触发，输出开关，可编程极限，可编程分辨率 精度 - 最高（最低）：±0.5°C（±2°C） 测试条件：-10°C ~ 85°C（-55°C ~ 125°C） 工作温度：-55°C ~ 125°C 封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装：TO-92-3
收发器，功能数量 1 端子数量 8 最大工作温度 85 Cel 最小工作温度 -40 Cel 最大供电/工作电压 5.5 V 最小供电/工作电压 1.65 V 额定供电电压 1.8 V 端口数 2 加工封装描述 绿色, 塑料, SSOP-8 无铅 Yes 欧盟RoHS规范 Yes 中国RoHS规范 Yes 状态 ACTIVE 工艺 CMOS 包装形状 矩形的 包装尺寸 SMALL OUTLINE, 低 PROFILE, SHRINK PITCH 表面贴装 Yes 端子形式
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深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。， mos管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一
深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对soure和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必
深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。，形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。每个因素都会被简单的介绍下。 Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果backgate越重掺杂，它就越难反转。要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂
深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。， 随着亚微米、深亚微米技术和系统芯片（SOC）技术的日益成熟，功耗已经成为模拟电路设计中首要考虑的问题，低电压低功耗集成电路设计渐渐成为主流。因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。 由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入
深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。，静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当静电放电电流通过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度(如硅的熔点1415℃)，使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失效。这种失效的发生与否，主要取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，说明器件越不易受到损伤。 反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效，在反偏条件下
深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。，在测量AC-DC和DC-DC电源、功率器件、电池、电池充电器等输出能量或消耗能量时都需要负载，传统的方法是利用固定电阻和可变电阻器来充当被测负载。一种新兴的电子仪器和测试设备---电子负载应运而生，他利用功率器件模拟电阻器，具有很强的操作灵活性。目前，电子负载技术发展的比较成熟，就其类型来说，一般有具有定电流（ CC）、定电阻（ CR）、定电压（ CV）、定功率（ CP） 等工作模式。研究和开发新型的低成本的电子负载也成为一项有
深圳市正纳电子有限公司RENESAS现货分销，价格优势，原装现货。，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分，可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、电脑、电视、抽油烟机、风扇、照明、录像机等设备中。 逆变变压器原理 它的工作原理流程是控制电路控制整个系统的运行，逆变电路完成由直流电转换为交
