产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3300 V
在25 C的连续集电极电流: 1300 A
封装 / 箱体: IHV190
最大工作温度: + 125 C
商标: Infineon Technologies
高度: 38 mm
长度: 190 mm
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 1
宽度: 140 mm
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