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    深圳市雷智腾电子进出口有限公司2017-5-11 9:18:00
  • IS64WV51216BLL-10CTLA3

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    深圳旭亨半导体有限公司2017-5-11 9:14:00
  • IS64LV25616AL-12TL

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    深圳旭亨半导体有限公司2017-5-11 9:12:00
  • IS64LV51216-12TLA3

    IS64LV51216-12TLA3批号:16+库存:23000原厂封装厂商:ISSI 原装正品专卖!假一罚百!超低价格,产品种类: 静态随机存取存储器 制造商: ISSI 存储容量: 8 Mbit 访问时间: 12 ns 电源电压-最大: 3.6 V 电源电压-最小: 3.135 V 电源电流—最大值: 120 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SM

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    深圳旭亨半导体有限公司2017-5-11 9:09:00
  • AON7403

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  • ANX6623AAQ

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  • GL883A

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  • E818AHF

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  • ADA4077-2ARZ-R7

    ADA4077-2ARZ-R7应用过程控制前端放大器无线基站控制电路光网络的控制电路仪器仪表传感器和控制器:热电偶,热电阻检测器(RTD ) ,应变桥梁和分路电流测量精密的过滤器,ADA4077-2ARZ-R7特点低失调电压(最大规格)B级: 25 μV ( SOIC )A级: 50 μV ( SOIC ) , 90 μV ( MSOP )极低的失调电压漂移B级: 0.25 μV / ° C( SOIC )A级: 0.55 μV / ° C( SOIC )和1.2 μV / ° C( MSOP ) ,指定

  • DS92LV16TVHG

    DS92LV16TVHG原装正品优势现货热卖库存,DS92LV16TVHG概述该DS92LV16串行器/解串器( SERDES )对反parently转换的16位并行总线到一个串行BLVDS流具有嵌入式时钟信息。这种单一的串行流简化传送一个16位或更少的总线上的PCB迹线和电缆通过消除之间的时滞的问题并行数据和时钟路径。它通过叙事节省了系统成本赛艇数据路径,这反过来减少PCB层数,电缆宽度,并且连接器的尺寸和引脚。这SERDES对包括内置的系统和设备测试能力。该线路环回和近端环回功能提供以下功能:本地环回

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  • BLF245

    BLF245原装正品优势热卖库存,大量有货。欢迎订购。只做原装。,BLF245特点•高功率增益•低噪声系数•简单的电源控制•良好的热稳定性•可承受满负荷不匹配。gMBB072BLF245引脚配置lfpage14ds描述硅N沟道增强模式的垂直D- MOS晶体管设计用于大信号放大器在VHF频率的应用范围内。该晶体管被封装在一个4引脚SOT123法兰信封,用陶瓷盖。所有的线索都隔离从凸缘。匹配的栅极 - 源极电压(VGS)团体可根据要求提供。

  • 指尖陀螺芯片指尖陀螺IC 带板单个芯片0.16带程序 采购即可生产

    指尖陀螺芯片指尖陀螺IC 带板单个芯片0.16带程序 采购即可生产,指尖陀螺芯片IC, 带程序,SOP8封装,一个按键控制,三种模式。量大可议价。可提供PCB电路文件。 指尖陀螺芯片指尖陀螺IC 带板单个芯片0.16带程序 采购即可生产 深圳市宏南科技有限公司 联系人:何小姐 联系电话:0755-85225052 13823702843 传真:0755-83995482

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    深圳市宏南科技有限公司2017-5-10 16:40:00
  • W632GG6KB-15

    W632GG6KB-15 品牌:WINBOND 封装:FBGA36 2-Gbit(128M x 16bit),工作电压:1.5V±0.075V 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3 SDRAM 存储容量:2G(128M x 16) 速度:667MHz 接口:并联 电压 - 电源:1.425 V ~ 1.575 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-WBGA(9x13) ,W632GG6KB-15 品牌:WINBOND 封装:FBG

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 16:08:00
  • W971GG6KB-25 DDR 托盘

    W971GG6KB-25 品牌:WINBOND 封装:FBGA84 1-Gbit(64M x 16bit),工作电压:1.8V±0.1V 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G(64M x 16) 速度:2.5ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA(8x12.5) 深圳市高,W971GG6KB-25 品牌:WINBOND 封装:FBGA84

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 16:06:00
  • DDR W9425G6KH-5

    W9425G6KH-5 品牌:WINBOND 封装:TSOP66 256-Mbit(16M x 16bit),工作电压:2.5V±0.2V 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:256M(16M x 16) 速度:200MHz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:6,W9425G6KH-5 品牌:WINBOND 封装:TSOP6

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 16:03:00
  • W9751G6KB-18 DDR

    W9751G6KB-18,W9751G6KB-18 品牌:WINBEND 封装:FBGA84 512-Mbit(32M x 16bit),工作电压:1.8V±0.1V 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:512M(32M x 16) 速度:1.875ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA(8x12.5) 深圳市高科世

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 16:01:00
  • W971GG6SB-25

    W971GG6SB-25 品牌:WINBOND 封装:FBGA84 1-Gbit(64M x 16bit),工作电压:1.8V±0.1V 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G(64M x 16) 速度:2.5ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA(8x12.5) 深圳,W971GG6SB-25 品牌:WINBOND 封装:FBGA84

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 16:00:00
  • DDR W9412G6KH-5 托盘

    W9412G6KH-5 品牌:WINBOND 封装:TSSOP66 128-Mbit(8M x 16bit),工作电压:2.5V±0.2V 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:128M(8M x 16) 速度:200MHz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:66,W9412G6KH-5 品牌:WINBOND 封装:TSSOP

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 15:58:00
  • 供应 MT29F1G08ABBDAHC:D

    IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA,类别集成电路(IC) 存储器 制造商Micron Technology Inc. 系列- 包装 带卷(TR) 零件状态 上次购买时间 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 FLASH - NAND 存储容量 1Gb (128M x 8) 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 - 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.

  • 仪表运放/TLV2316IDGKR 管装

    TLV2316IDGKR 品牌:TI 封装:VSSOP8 备注:全新原装 TLV2316 宽低供电电压 低功耗 ,高速高宽带,强抗干扰,抗共模干扰。高速高带宽 宽带10MHZ 压摆率 6V/uS 工作电压1.8-5.5V 汽车级的工作温度-40℃ - +125℃ 低噪声,低偏置 强抗干扰EMI 低功耗 2通道运放 大电流输出50mA 轨到轨输入输出 此型号: 1,TLV2316IDGKR 品牌:TI 封装:VSSOP8 备注:全新原装 TLV2316 宽低供电电压 低功耗 ,高速高宽带,强

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    深圳市高科世纪电子有限公司2017-5-10 15:51:00
  • 供应 MT29F2G08ABBEAHC:E 美光内存

    IC FLASH 2GBIT 63VFBGA,类别集成电路(IC) 存储器 制造商 Micron Technology Inc. 系列- 包装 带卷(TR) 零件状态 在售 存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 FLASH - NAND 存储容量 2Gb (256M x 8) 写周期时间 - 字,页 - 访问时间 - 存储器接口 并联 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V