高速光耦合器 10MBd 2Ch 3mA，制造商: Broadcom Limited 产品种类: 高速光耦合器 RoHS: 环保 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 数据速率: 10 Mb/s 通道数量: 2 Channel 输出类型: Open Collector 绝缘电压: 3750 Vrms Vf - 正向电压: 1.6 V If - 正向电流: 10 mA Vr - 反向电压 : 3 V Pd-功率耗散: 60 mW 电流
高速光耦合器 5MBd 2Ch 1.8mA，制造商: Broadcom Limited 产品种类: 高速光耦合器 RoHS: 环保 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PDIP-8 Gull Wing 数据速率: 5 Mb/s 通道数量: 2 Channel 输出类型: Open Collector 绝缘电压: 3750 Vrms Vf - 正向电压: 1.5 V If - 正向电流: 5 mA Vr - 反向电压 : 5 V Pd-功率耗散: 2
XILINX/赛灵思 XC7K410T-1FBG900I FPGA-现场可编程门阵列 FCBGA-900 现货，制造商: Xilinx 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 系列: XC7K410T 逻辑元件数量: 406720 LE 自适应逻辑模块 - ALM: 63550 ALM 嵌入式内存: 27.95 Mbit 输入/输出端数量: 500 I/O 电源电压-最小: 1.2 V 电源电压-最大: 3.3 V 最小工作温度:
TPS54627DDAR 开关稳压器，TPS54627DDAR 规格信息： 制造商:Texas Instruments 产品种类:开关稳压器 RoHS:是 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-PowerPad-8 输出电压:0.76 V to 5.5 V 输出电流:6 A 输出端数量:1 Output 最大输入电压:18 V 拓扑结构:Buck 最小输入电压:4.5 V 开关频率:650 kHz 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 系列:T
逻辑输出光电耦合器 2.0A IGBT Gate Drive，制造商: Broadcom Limited 产品种类: 逻辑输出光电耦合器 RoHS: 环保 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-16 绝缘电压: 3750 Vrms 系列: HCPL-316J 商标: Broadcom / Avago 下降时间: 100 ns 产品类型: Logic Output Optocouplers 包装数量：850 子类别: Optocouplers
东莞 MC74HC14ADR2G 集成电路（IC） ON SEMICONDUCTOR 2231 5000 ，逻辑类型 反相器 电路数 6 输入数 1 特性 施密特触发器 电压 - 供电 2V ~ 6V 电流 - 静态 1 µA 电流 - 输出高、低 5.2mA，5.2mA 逻辑电平 - 低 0.3V ~ 1.2V 逻辑电平 - 高 1.5V ~ 4.2V 不同 V 13ns @ 6V，50pF 工作温度 -55°C ~ 125°C 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 14-SOI
XILINX/赛灵思 XC7K325T-2FBG676C FPGA-现场可编程门阵列 封装FCBGA-676 现货，制造商: Xilinx 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 系列: XC7K325T 逻辑元件数量: 326080 LE 自适应逻辑模块 - ALM: 50950 ALM 嵌入式内存: 15.64 Mbit 输入/输出端数量: 400 I/O 电源电压-最小: 1.2 V 电源电压-最大: 3.3 V 最小工作温
XILINX/赛灵思 XC7K325T-2FFG900I FPGA-现场可编程门阵列 封装FBGA-900 现货，制造商: Xilinx 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 系列: XC7K325T 逻辑元件数量: 326080 LE 自适应逻辑模块 - ALM: 50950 ALM 嵌入式内存: 15.64 Mbit 输入/输出端数量: 500 I/O 电源电压-最小: 970 mV 电源电压-最大: 1.03 V 最小工作
FF600R12ME4-B72，FF600R12ME4-B72是一款IGBT模块，以下是对其的一般说明： 1. 功能特点：FF600R12ME4-B72是一款高性能的IGBT模块，具有低开关损耗和高可靠性的特点。它适用于高功率应用，如电机驱动、电源管理和工业自动化等领域。 2. 电气参数：FF600R12ME4-B72的最大工作电压为1.2kV，最大额定电流为600A。它具有低导通电阻和低反向恢复电荷，从而减少功率损耗和噪声。 3. 封装类型：FF600R12ME4-B72采用无铅模块封
STW4N150场效应管(MOSFET，STW4N150是一款场效应管（MOSFET）。以下是对STW4N150的一般说明： 1. 功能特点：STW4N150是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于高频开关电源、电机驱动和其他功率电子应用。 2. 电气参数：STW4N150的工作电压范围为150V，最大连续漏源电流为4A。它具有低导通电阻和低输入电容，从而减少功率损耗和开关时间。 3. 封装类型：STW4N150采用TO-247封装，方便在电路板上进行安
FS32R264JCK0MMM雷达微控制器，适合汽车和工业雷达传感器应用的 32 位多核 MCU，S32R26/27产品系列面向汽车 ADAS、工业 和消费电子雷达市场，并针对这些应用领域提 供专用软件和支持工具。S32R26/27可帮助客户 构建可扩展、安全可靠、低功耗的雷达系统， 以应对来自汽车 ADAS 雷达市场的挑战。
MC14013BDR2G双D触发器，类型：D-型 时钟频率：14MHz 最大传播延迟：100ns@15V,50pF 电源电压：3V~18V 静态电流(Iq)：4uA 双 D 触发器 MC14013B 双 D 型触发器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。每个触发器均具有独立的数据 (D)、直接设置 (S)、直接重置 (R) 和时钟 (C) 输入和互补输出（Q 和 Qbar）。这些器件可用作移位寄存器元
东莞 TXB0108PWR 集成电路（IC） TI 2209 7580 ，转换器类型 电压电平 通道类型 双向 电路数 1 每个电路通道数 8 电压 - VCCA 1.2 V ~ 3.6 V 电压 - VCCB 1.65 V ~ 5.5 V 输入信号 - 输出信号 - 输出类型 三态，非反相 数据速率 100Mbps 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 特性 自动方向检测 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商器件封
原装代理，VN5E160STR-E是一款门驱动器。以下是对VN5E160STR-E的一般说明： 1. 功能特点：VN5E160STR-E是一款高性能的门驱动器，用于驱动功率MOSFET或IGBT开关。它具有高电流和低电压降的特点，可提供可靠的开关控制。 2. 电气参数：VN5E160STR-E的工作电压范围为3V至5.5V，最大输出电流为2.5A。它具有低开关损耗和低静态电流，有助于提高系统的效率。 3. 封装类型：VN5E160STR-E采用TO-252封装，方便在电路板上进行安装和布
进口代理，ISO7741QDWRQ1是一款数字隔离器。以下是对ISO7741QDWRQ1的一般说明： 1. 功能特点：ISO7741QDWRQ1是一款高性能、高速、双向数字隔离器。它可以提供电气隔离，使得两个电路之间可以传输数据信号，同时实现电气隔离，从而提高系统的安全性和可靠性。 2. 电气参数：ISO7741QDWRQ1的工作电压范围为3.3V至5V，支持高达100Mbps的数据传输速率。它具有高达4000Vrms的电气隔离电压，以及低传输延迟和低抖动。 3. 封装类型：ISO774
原装代理，TLV316QDBVRQ1是一款运算放大器（运放）。以下是对TLV316QDBVRQ1的一般说明： 1. 功能特点：TLV316QDBVRQ1是一款低功耗、高精度的运放。它具有低输入偏置电流、低输入偏置电压、高开环增益和宽工作电压范围等特点。 2. 电气参数：TLV316QDBVRQ1的供电电压范围为2.7V至36V，输入偏置电流小于1pA，输入偏置电压小于1mV，增益带宽积为10MHz，共模抑制比为100dB。 3. 封装类型：TLV316QDBVRQ1采用SOT-23封装，
进口代理，LM4041QCEM3-ADJ/NO是一款可调节的参考电压。以下是对LM4041QCEM3-ADJ/NO的一般说明： 1. 功能特点：LM4041QCEM3-ADJ/NO是一款高精度、低漂移的可调节参考电压。它可以提供稳定的参考电压，用于校准和稳定其他电路的工作。 2. 电气参数：LM4041QCEM3-ADJ/NO的工作电压范围为2.5V至10V，具有低温漂移和长期稳定性。它的输出电压可以通过外部电阻调节，以满足不同的应用需求。 3. 封装类型：LM4041QCEM3-ADJ
STL130N6F7 MOSFET N-channel 60 V, 3 mOhm typ 130 A STripFET F7 Power MOSFET，制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 13
STL140N6F7 MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET，制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:
XILINX/赛灵思 XC7K160T-1FBG484C FPGA-现场可编程门阵列 FCBGA-484 现货，制造商: Xilinx 产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 系列: XC7K160T 逻辑元件数量: 162240 LE 自适应逻辑模块 - ALM: 25350 ALM 嵌入式内存: 11.43 Mbit 输入/输出端数量: 285 I/O 电源电压-最小: 970 mV 电源电压-最大: 1.03 V 最小工作温
STL110N10F7 MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII，STL110N10F7是一款N沟道MOSFET功率晶体管。以下是对STL110N10F7的产品说明： 1. 功能特点：STL110N10F7具有低导通电阻、低开关损耗和快速开关速度等功能特点，适用于高效率功率转换应用。 2. 电气参数：STL110N10F7的额定电压为100V，额定电流为110A，导通电阻为10mΩ（最大值），开关时间为30ns（最大值）。 3. 封装类型：ST
STL120N8F7 MOSFET N-channel 80 V, 3.7 mOhm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET，STL120N8F7是一款N沟道MOSFET功率晶体管。以下是对STL120N8F7的产品说明： 1. 功能特点：STL120N8F7具有低导通电阻、低开关损耗和快速开关速度等功能特点，适用于高效率功率转换应用。 2. 电气参数：STL120N8F7的额定电压为120V，额定电流为120A，导通电阻为8mΩ（最大值），开关时间为30ns（最
逻辑输出光电耦合器 3.3V 1CH 1500Vdc Hermetically sealed，制造商: Broadcom Limited 产品种类: 逻辑输出光电耦合器 RoHS: 环保 If - 正向电流: 1.6 mA Vf - 正向电压: 1.4 V 系列: ACPL-5 商标: Broadcom / Avago 产品类型: Logic Output Optocouplers 包装数量：1 子类别: Optocouplers
TAS5411QPWPRQ1音频放大器 A，TAS5411QPWPRQ1是一款高性能的音频功率放大器。以下是对TAS5411QPWPRQ1音频放大器的一般说明： 1. 输出功率：TAS5411QPWPRQ1支持高达25W的输出功率，可以满足大多数音频系统的需求。 2. 低失真：TAS5411QPWPRQ1具有低失真特性，可以提供高质量的音频输出，使得音频系统的音质更加清晰和自然。 3. 电源电压：TAS5411QPWPRQ1支持广泛的电源电压范围，从4.5V到26V，可以适应不同的应用需
东莞 SN74AHC1G08DBVR 集成电路（IC） TI 2302 3258 ，逻辑类型 与门 电路数 1 输入数 2 特性 - 电压 - 供电 2V ~ 5.5V 电流 - 静态 1 µA 电流 - 输出高、低 8mA，8mA 逻辑电平 - 低 0.5V ~ 1.65V 逻辑电平 - 高 1.5V ~ 3.85V 不同 V 7.9ns @ 5V，50pF 工作温度 -55°C ~ 125°C 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 SOT-23-5 封装/外壳 SC-74A，
