STL120N8F7是一款N沟道MOSFET功率晶体管。以下是对STL120N8F7的产品说明：
1. 功能特点：STL120N8F7具有低导通电阻、低开关损耗和快速开关速度等功能特点，适用于高效率功率转换应用。
2. 电气参数：STL120N8F7的额定电压为120V，额定电流为120A，导通电阻为8mΩ（最大值），开关时间为30ns（最大值）。
3. 封装类型：STL120N8F7采用TO-220封装，方便在电路板上进行安装和布局。
4. 保护功能：STL120N8F7具有多种保护功能，如过温保护和过电流保护等，可以保护功率转换系统免受损坏。
5. 应用范围：STL120N8F7适用于各种功率转换应用，如电源管理、电机驱动、照明系统和工业控制等。
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
系列: STL120N8F7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15.4 ns
高度: 1 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 16.8 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 34.5 ns
宽度: 5.2 mm
单位重量: 76 mg
