MCP6044I/SL微芯代理价格优势，MCP6044I/SL微芯代理价格优势 代理现货MCP6044I/SL供应 有关咨询MCP6044I/SL价格 MCP6044I/SL供货情况 MCP6044I/SL库存数量 MCP6044I/SL规格书 MCP6044I/SL产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Microchip 产品种类: 运算放大器 - 运放 RoHS: 详细信息 通道数量: 4 Channel GBP-增益带宽产品: 14 kHz
BSP752T广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备等领域 ，BSP752T 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款电源开关 IC。以下是它的一些主要特点和参数：保护功能：过载保护：当负载电流超过设定的阈值时，芯片会自动限制电流，防止电路因过载而损坏。短路保护：在输出端发生短路故障时，芯片能够快速切断电路，保护电源和其他元件。热关断与重启：当芯片温度过高时，会进入热关断状态，以避免过热损坏。温度下降后，芯片会自动重启。过压保护：包括对负载突降等情况的过压保护，确
CC2511F32RSPR ，CC2511F32RSPR 是一款 2.4GHz 的射频收发器芯片，属于片上系统（SoC）。以下是它的一些主要特点和应用：主要特点：工作频率：工作在 2.4GHz 的 ISM（工业、科学和医学）频段，这是一个全球通用的免许可频段，适合短距离无线通信应用。射频性能：具备良好的射频收发性能，能够实现稳定的数据传输。对于接收灵敏度、发射功率等指标都有较好的表现，以确保在不同的环境条件下都能保持可靠的通信。数据传输速率：支持较高的数据传输速率，可满足多
NTMFS002N10MCLT1G 现货库存 ，制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: REACH - SVHC: 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 175 A Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电
NTMFS4C03NT1G，更多详情参数或规格书请联系18100277303 NTMFS4C03NT1G 供货情况 NTMFS4C03NT1G 产品购买 NTMFS4C03NT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 13
NTMFS0D4N04XMT1G，更多详情参数或规格书请联系18100277303 NTMFS0D4N04XMT1G 供货情况 NTMFS0D4N04XMT1G 产品购买 NTMFS0D4N04XMT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V I
NTMFS0D5N03CT1G，更多详情参数或规格书请联系18100277303 NTMFS0D5N03CT1G供货情况 NTMFS0D5N03CT1G产品购买 NTMFS0D5N03CT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流:
NTMFS0D5N04XMT1G，更多详情参数或规格书请联系18100277303 NTMFS0D5N04XMT1G供货情况 NTMFS0D5N04XMT1G产品购买 NTMFS0D5N04XMT1G中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏
进口代理，制造商: Cirrus Logic 产品种类: 接口—CODEC RoHS: 产品: Audio CODECs 类型: Audio CODEC, Stereo 分辨率: 24 bit 转换速率: 48 kHz 接口类型: Serial 2-Wire ADC 数量: 2 ADC DAC 数量: 2 DAC 电源电压-最大: 3.6 V 电源电压-最小: 2.7 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: S
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 栅极驱动器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: WSON-6 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 系列: UCD7138 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Texas Instruments 高度: 0.75 mm 长度: 3 mm 产品类型: Gate Drivers 工厂包装数量
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: REACH - SVHC: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFN-CLIP-40 拓扑结构: Buck 输出电压: Adjustable 输出电流: 20 A 输出端数量: 1 Output 输入电压 - 最小值: 2.95 V 输入电压 - 最大值: 18 V 静态电流: 12.5 mA 开关频率: 225 kHz to 1.5 MHz
进口代理，制造商: NXP 产品种类: 16位微控制器 - MCU RoHS: 核心: S12 程序存储器大小: 64 kB 数据 RAM 大小: 4 kB 封装 / 箱体: LQFP-64 最大时钟频率: 25 MHz ADC分辨率: 10 bit 输入/输出端数量: 54 I/O 电源电压-最小: 3.15 V 电源电压-最大: 5.5 V 安装风格: SMD/SMT 数据总线宽度: 16 bit 最小工作温度: - 40 C 最大工作温
BSP321PH6327XTSA1 Infineon SOT-223 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 980 mA Rds On-漏源导通电阻: 689 mOhm
NTMFS3D2N10MDT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS3D2N10MDT1G 供货情况 NTMFS3D2N10MDT1G产品购买 NTMFS3D2N10MDT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 142 A Rds On-漏源导通
NTMFS3D5N08XT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS3D5N08XT1G 供货情况 NTMFS3D5N08XT1G 产品购买 NTMFS3D5N08XT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 135 A
NTMFS3D6N10MCLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS3D6N10MCLT1G 供货情况 NTMFS3D6N10MCLT1G 产品购买 NTMFS3D6N10MCLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-
NTMFS3D1N04XMT1G ，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS3D1N04XMT1G 供货情况 NTMFS3D1N04XMT1G 产品购买 NTMFS3D1N04XMT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: N 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id
TLE4264GHTMA1 INFINEON/英飞凌 SOT-223 低压差稳压器 电阻容配套，TLE4264GHTMA1 TLE4264GHTMA1 TLE4264GHTMA1最新年份是什么时候 TLE4264GHTMA1什么时候停产 TLE4264GHTMA1替代料推荐 TLE4264GHTMA1规格书 TLE4264GHTMA1 PDF文件 TLE4264GHTMA1 参数 TLE4264GHTMA1更多详情PDF资料 陈嘉嘉18938923845 产品属性 属性值 选择属性
FKP1J023305F原装物美价廉，FKP1J023305F原装物美价廉 代理现货FKP1J023305F供应 有关咨询FKP1J023305F价格 FKP1J023305F供货情况 FKP1J023305F库存数量 FKP1J023305F规格书 FKP1J023305F产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: WIMA 产品种类: 薄膜电容器 RoHS: 详细信息 电容: 0.033 uF 电压额定值 DC: 630 VDC 端接类型: Radi
M27C256B-10F1只有原装货放心来询，M27C256B-10F1只有原装货放心来询 代理现货M27C256B-10F1供应 有关咨询M27C256B-10F1价格 M27C256B-10F1供货情况 M27C256B-10F1库存数量 M27C256B-10F1规格书 M27C256B-10F1产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 可擦除可编程ROM RoHS: 详细信息 安装风格: Through
K9F1208U0C-PCB0 三星内存芯片，K9F1208U0C-PCB0 是三星电子制造的一款闪存芯片。以下是关于它的一些详细信息：基本信息：类别：属于 NAND 型闪存芯片，在存储领域应用广泛。封装形式：采用 TSOP-48（Thin Small Outline Package）封装，这种封装体积小巧，适合高密度布局，便于与其他电子元件共同使用。规格说明：其规格型号中的 “64M x 8” 表示该芯片的存储容量为 64M（兆）位，数据宽度为 8 位。性能参数：
HY27US08561A-TPCB闪存芯片，HY27US08561A-TPCB 是海力士（Hynix）公司生产的一款闪存芯片，以下是其相关信息：基本参数：存储容量：256Mbit，即 32M×8bit，也可理解为 32 兆字节（MB）的存储容量（1 字节 = 8bit）。封装形式：采用 TSOP-48 封装，这种封装的外形为薄型小尺寸封装，引脚数为 48 个，便于在电路板上进行焊接和安装，适合对空间有一定要求的电子设备。工作电压：标称供电电压为 3.3V，最小供电电压为 2
VND830SP应用于各种需要高边驱动的电子设备和系统中。，VND830SP 是意法半导体（STMicroelectronics）公司生产的一款半导体器件。以下是它的一些主要特点：功能类型：属于双路高端高边驱动器，常用于控制和驱动电路中的功率开关元件，例如在电机驱动、电源管理、汽车电子等领域中，可用来控制电机的正转、反转、启停，或者对电源的通断进行管理等。电气参数：电源电压范围：工作的电源电压范围较宽，通常为 5.5V 至 36V，这使得它能够适应多种不同的电源环境，为各种
宁德时代全固态电池开启样品验证，能源新世纪即将到来，宁德时代近日增加了对全固态电池的研发投入，并将研发团队扩充至超过1000人，是业内首个如此大规模投入的公司。据悉，宁德时代目前专注于硫化物路线，已进入20Ah样品试制阶段，计划在2027年实现小批量生产。固态电池因其采用固态电解质，具备更高的安全性和能量密度，受到广泛关注。其能量密度有望突破500Wh/kg，续航里程超过1000公里，循环性能也远超传统锂离子电池。此外，固态电池的充电速度和工作温度范围均优于现有电
进口代理，制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 时钟发生器及支持产品 RoHS: 类型: Clock Generator 输出端数量: 12 Output 最大输出频率: 1800 MHz 最大输入频率: 2.4 GHz 封装 / 箱体: LFCSP-48 占空比 - 最大: 50 %_ 系列: AD9517-4 工作电源电流: 20 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT
