2EDL5013U2DXTMA1 光电隔离式栅极驱动器 电子元器件一站式bom配单，2EDL5013U2DXTMA1 现货5k 2EDL5013U2DXTMA1 最小包装 2EDL5013U2DXTMA1 现货5k 2EDL5013U2DXTMA1 PDF文件 规格书 2EDL5013U2DXTMA1最新年份是什么时候 2EDL5013U2DXTMA1什么时候停产 2EDL5013U2DXTMA1替代料推荐 2EDL5013U2DXTMA1 规格书 2EDL5013U2DXTMA1 参数
L6599DTR，L6599DTR 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高压谐振控制器，以下是关于它的详细介绍：特点高压侧驱动能力强：具有 600V 轨兼容高侧栅驱动器，集成自举二极管和高 dV/dt 免疫功能，可承受超过 600V 的电压，能够有效驱动高压侧开关，适用于高压电源转换电路.软启动功能出色：具备输出电压单调上升的非线性软启动特性，在启动时，开关频率从可编程的最大值开始，并逐步衰减，直到达到控制回路确定的稳态值，以此减少输出电压过冲，保护电路中
OP07CDR，OP07CDR 是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款高精度运算放大器，以下是对它的详细介绍：主要特点低失调电压：OP07CDR 的输入失调电压极低，典型值为 25μV，这一特性使得它在精密测量和信号处理等对精度要求极高的应用中表现出色，能够有效减小信号放大过程中的误差.低输入偏置电流：其输入偏置电流一般在 1.8nA 左右，较低的偏置电流在高阻抗应用中优势明显，可以显著降低电路误差，提高测量准确性，适用于处理微弱信号的电路.低噪声：该
NTMFS3D2N10MDT1G 库存情况，制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: REACH - SVHC: 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 142 A Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:
LM7321MAX ，LM7321MAX 是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的运算放大器，以下是其详细介绍：基本信息产品类型：运算放大器中的通用型放大器.封装形式：SOIC-8，这种封装形式具有体积小、适合表面贴装等特点，利于在印刷电路板上进行高密度组装.工作温度范围：-40℃至 125℃，能够在较宽的温度范围内稳定工作，可满足多种不同环境下的应用需求.电气特性电源电压：工作电源电压范围为 2.5V 至 32V，±1.25V 至 ±1
ADG411BRZ ，ADG411BRZ 是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）生产的模拟开关 IC，以下是其详细介绍：基本信息产品类型：模拟开关集成电路.封装形式：SOIC-16，这种封装形式具有体积小、适合表面贴装等特点，利于在印刷电路板上进行高密度组装.工作温度范围：-40℃至 85℃，可在较宽的温度范围内稳定工作，能满足多种不同环境下的应用需求.电气特性电源电压：单电源供电时，电压范围为 5V 至 16.5V；双电源供电时，电压范围为
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2EDL7125GXUMA1 栅极驱动器 DRIVER IC Infineon 贴片，2EDL7125GXUMA1 最小包装 2EDL7125GXUMA1 现货5k 2EDL7125GXUMA1 PDF文件 规格书 2EDL7125GXUMA1不建议用于新设计 2EDL7125GXUMA1最新年份是什么时候 2EDL7125GXUMA1什么时候停产 2EDL7125GXUMA1替代料推荐 2EDL7125GXUMA1规格书 2EDL7125GXUMA1 参数 2EDL7125GXUM
供应全新原装正品LIS2DHTR，供应全新原装正品LIS2DHTR,门市自取或当天发货。 其他物料还有： TLV62569PDDCR TPS564201DDCR K4A8G165WC-BCTD TUSB216IRWBR K4B2G1646F-BCMA TPS53318DQPR TPS7B4250QDBVRQ1 IRM-7738J16-F136(HISEN-L ） SN74GTL2014PWR TPS7B4250QDBVRQ1 TPS2553DRVR-1 TPS54622RHLR
进口代理，制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS: 产品: Schottky Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TUMD2M-2 配置: Single 技术: Si If - 正向电流: 1.5 A Vrrm - 重复反向电压: 30 V Vf - 正向电压: 360 mV Ifsm - 正向浪涌电流: 8 A Ir - 反向电流 : 15 uA 最大工作温度: + 125
进口代理，制造商: Microchip 产品种类: 数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC RoHS: 产品: DSCs 核心: dsPIC33E 内核数量: 1 Core 最大时钟频率: 60 MHz 封装 / 箱体: TQFP-64 程序存储器大小: 128 kB 数据 RAM 大小: 16 kB L1缓存指令存储器: - L1缓存数据存储器: - 工作电源电压: 3 V to 3.6 V 系列: dsPIC33EP128MC506 商
进口代理，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 950 V Id-连续漏极电流: 74.7 A Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷:
进口代理，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 950 V Id-连续漏极电流: 36.5 A Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
进口代理，制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: BGA-162 拓扑结构: Buck 输出电压: 500 mV to 5.5 V 输出电流: 10 A 输出端数量: 4 Output 输入电压 - 最小值: 2.25 V 输入电压 - 最大值: 5.5 V 静态电流: 70 mA 开关频率: 2 MHz 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: +
进口代理，制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LGA-25 拓扑结构: Buck 输出电压: 600 mV to 5.5 V 输出电流: 3 A 输出端数量: 1 Output 输入电压 - 最小值: 4 V 输入电压 - 最大值: 20 V 静态电流: 11 uA 开关频率: 1 MHz 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C
进口代理，制造商: Nordic Semiconductor 产品种类: RF片上系统 - SoC RoHS: 类型: Bluetooth 核心: ARM Cortex M4 工作频率: 2.4 GHz 最大数据速率: 2 Mbps 输出功率: 4 dBm 灵敏度: - 96 dBm 电源电压-最小: 1.7 V 电源电压-最大: 3.6 V 接收供电电流: 5.4 mA 传输供电电流: 5.3 mA 程序存储器大小: 512 kB 最小工作温度
进口代理，制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 射频接收器 RoHS: 类型: 315 MHz or 433 MHz Superheterodyne Receiver 工作频率: 315 MHz, 433 MHz 最大工作温度: + 85 C 最小工作温度: - 40 C 封装 / 箱体: TSSOP-28 安装风格: SMD/SMT 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 带宽: 100 kHz
美光2024年业绩指引超预期，AI推动HBM需求增长， 美光业绩指引超预期，AI推动HBM需求增长，盘后股价大涨14%_美光公布截至2024年8月29日的FY2024Q4财季(2024年6-8月)业绩，该季营收77.5亿美元，环比增长14%，同比增长93%；Non-GAAP下，经营利润17.45亿美元，营业利润率由上季度的13.8%增长至22.5%；净利润13.42亿美元，较上季度7.02亿美元增长91%，同比扭亏为盈。 美光称该季营收、毛利率及每股收益均高于此前的指导范围的上限，数据中心需求超出了美
NTMFS3D1N04XMT1G 现货库存 ，制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: N 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 83 A Rds On-漏源导通电阻: 3.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3
MCP2515-I/SO CAN 接口集成电路，MCP2515-I/SO 是 Microchip 科技的一款独立控制器区域网络（CAN）控制器。其相关信息如下： 基本功能： 数据收发能力：可传送和接收标准和扩展数据以及远程帧，数据字段长度为 0 到 8 字节。 接收过滤功能：有两个接收遮罩和六个接收滤波，用于过滤掉不需要的信息，减少主机微控制器的开销。 缓冲器配置：具备两个接收缓冲器，含优先级信息存储；三个发送缓冲器，含优先级和中止功能。 接口特性： 通过高速 SPI 接口（最高 10MHz）
TPA4861DR ，TPA4861DR 是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的 1 瓦单声道音频功率放大器，以下是其详细介绍：主要特点高输出功率：能够在 8Ω 负载下提供 1W 的连续平均功率，在音频频带频率（f宽电源电压范围：工作电压范围为 2.7V 至 5.5V，能适应多种不同的电源供应环境，方便在各种电子设备中使用，增强了其通用性.
N25Q064A13ESF40F ，N25Q064A13ESF40F 是美光（Micron）公司生产的一款 64Mbit 的 NOR 闪存芯片，以下是其详细介绍：基本参数存储容量：64Mbit，即 8MB，可以存储大量的数据和程序代码.存储单元组织：支持 16M x 4 的位宽组织方式，能灵活地与不同位宽的系统总线进行连接.接口类型：采用 SPI 接口，具有简单、高效的特点，只需要少量的引脚就可以实现数据的传输和控制，易于与各种微控制器和处理器进行连接.电源电压：工
NTMFS3D0N08XT1G MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL，制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: REACH - SVHC: 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 154 A Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms Vgs
NTMFS0D6N03CT1G，更多详情参数或规格书请联系18100277303 NTMFS0D6N03CT1G 供货情况 NTMFS0D6N03CT1G 产品购买 NTMFS0D6N03CT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连
NTMFS0D7N03CGT1G，更多详情参数或规格书请联系18100277303 NTMFS0D7N03CGT1G 供货情况 NTMFS0D7N03CGT1G 产品购买 NTMFS0D7N03CGT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V I
