线性稳压器(LDO) MC7912ACTG onsemi(安森美)
线性稳压器(LDO) MC7912ACTG TO-220 onsemi(安森美)，型号： MC7912ACTG 品牌： onsemi(安森美) 封装： TO-220 描述：线性稳压器(LDO)
EE-SG3-B原装
EE-SG3-B，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.142"（3.6mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 4µs，4µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
PM-R24P原装
PM-R24P，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 PM-24 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 15mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
华雄CNA1006N
CNA1006N，包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.118"（3mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 5µs，5µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
华雄CNA1006N
CNA1006N，包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.118"（3mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 5µs，5µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
PM-R24P华雄
PM-R24P，包装 散装 系列 PM-24 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 15mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
华雄EE-SG3-B
EE-SG3-B，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.142"（3.6mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 4µs，4µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
EE-SG3-B华雄
EE-SG3-B，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.142"（3.6mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 4µs，4µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
华雄PM-R24P
PM-R24P，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 PM-24 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 15mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
CNA1006N华雄
CNA1006N，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.118"（3mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 5µs，5µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
CNA1006N
CNA1006N，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.118"（3mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 5µs，5µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
华雄PM-R24P
PM-R24P，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 PM-24 零件状态 停產 感应距离 0.197"（5mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 15mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块，引线，槽型
EE-SG3-B华雄
EE-SG3-B，参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.142"（3.6mm） 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向（If） 50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V 响应时间 4µs，4µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！
中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！，朱峻咸分析：近日，海关总署公布了2023年3月全国进口重点商品量值表（美元值）。数据显示，今年3月，中国集成电路产品进出口数量分别为406.1亿个和236.5亿个，进出口总值分别为306.72亿美元和131.05亿美元。 据资料显示，累计2023年前3个月（2023年1-3月），中国集成电路进口产品无论从数量还是总值而言都有所下滑。 从数量而言，今年前3个月，中国进口集成电路产品1081.9亿个，较2022年同期的1402.9亿个同比下降22.
芯资讯：中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！
芯资讯：中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！，董事长朱峻咸分析：近日，海关总署公布了2023年3月全国进口重点商品量值表（美元值）。数据显示，今年3月，中国集成电路产品进出口数量分别为406.1亿个和236.5亿个，进出口总值分别为306.72亿美元和131.05亿美元。 据华雄集团资料显示，累计2023年前3个月（2023年1-3月），中国集成电路进口产品无论从数量还是总值而言都有所下滑。 从数量而言，今年前3个月，中国进口集成电路产品1081.9亿个，较2022年同期的1402
中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！
中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！，朱峻咸分析：近日，海关总署公布了2023年3月全国进口重点商品量值表（美元值）。数据显示，今年3月，中国集成电路产品进出口数量分别为406.1亿个和236.5亿个，进出口总值分别为306.72亿美元和131.05亿美元。 据资料显示，累计2023年前3个月（2023年1-3月），中国集成电路进口产品无论从数量还是总值而言都有所下滑。 从数量而言，今年前3个月，中国进口集成电路产品1081.9亿个，较2022年同期的1402.9亿个同比下降22.
芯资讯：中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！
芯资讯：中国芯片进出口数据公布；华为发布SiC电驱平台！，近日，海关总署公布了2023年3月全国进口重点商品量值表（美元值）。数据显示，今年3月，中国集成电路产品进出口数量分别为406.1亿个和236.5亿个，进出口总值分别为306.72亿美元和131.05亿美元。 据华雄集团资料显示，累计2023年前3个月（2023年1-3月），中国集成电路进口产品无论从数量还是总值而言都有所下滑。 从数量而言，今年前3个月，中国进口集成电路产品1081.9亿个，较2022年同期的1402.9亿个同比下降2
场效应管(MOSFET) IPB80N06S2-H5 Infineon(英飞凌)
IPB80N06S2-H5 Infineon(英飞凌) TO-263-3 20K现货供应，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 55 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: -
动态随机存取存储器 ： MT41K128M16JT-125:K
动态随机存取存储器 DDR3 2G 128MX16 FBGA，制造商: Micron Technology 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 环保 类型: SDRAM - DDR3L 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: FBGA-96 数据总线宽度: 16 bit 组织: 128 M x 16 存储容量: 2 Gbit 最大时钟频率: 800 MHz 访问时间: 13.75 ns 电源电压-最大: 1.45 V 电源电压-最小: 1.283
ST/意法 M95128-RMN6TP 电可擦除可编程只读存储器 封装SOIC-8 全新原装 价格优势
ST/意法 M95128-RMN6TP 电可擦除可编程只读存储器 封装SOIC-8 全新原装 价格优势 ，制造商: STMicroelectronics 产品种类: 电可擦除可编程只读存储器 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 接口类型: SPI 存储容量: 128 kbit 组织: 16 k x 8 电源电压-最小: 1.8 V 电源电压-最大: 5.5 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 最大时
T520C157M010ATE055
优势渠道，Product Status 在售 电容 150 µF 容差 ±20%_电压 - 额定 10 V 类型 模制 ESR（等效串联电阻） 55 毫欧 @ 100kHz 工作温度 -55°C ~ 105°C 不同温度时使用寿命 105°C 时为 2000 小时 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 2312（6032 公制） 大小 / 尺寸 0.236" 长 x 0.126" 宽（6.00mm x 3.20mm） 高度 - 安装（最大值） 0.110"（2.80
ADR440BRZ-REEL7
优势渠道，Product Status 在售 参考类型 系列 输出类型 固定 电压 - 输出（最小值/固定） 2.048V 电流 - 输出 10 mA 容差 ±0.05%_温度系数 3ppm/°C 噪声 - 0.1Hz 至 10Hz 1µVp-p 噪声 - 10Hz 至 10Hz - 电压 - 输入 3V ~ 18V 电流 - 供电 3.75mA 工作温度 -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，
VOMA618A-4X001T
VOMA618A-4X001T，製造商: Vishay 產品類型: 電晶體輸出光耦器 RoHS: 詳細資料 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SOP-4 通道數: 1 Channel 絕緣電壓: 3750 Vrms 輸出類型: NPN Phototransistor If - 順向電流: 20 mA Vf - 順向電壓: 1.4 V 集電極發射極最大電壓: 80 V 集電極最大電流: 50 mA 集電極發射極最大飽和電壓: 400 mV 上升時
H11A1SR2VM
H11A1SR2VM，製造商: onsemi 產品類型: 電晶體輸出光耦器 RoHS: 詳細資料 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SMD-DIP-6 通道數: 1 Channel 絕緣電壓: 4170 Vrms 輸出類型: NPN Phototransistor If - 順向電流: 60 mA Vf - 順向電壓: 1.5 V 集電極發射極最大電壓: 30 V 集電極最大電流: - 集電極發射極最大飽和電壓: 400 mV 上升時間: -
LT3060MPTS8#TRMPBF
LT3060MPTS8#TRMPBF，製造商: Analog Devices Inc. 產品類型: LDO電壓穩壓器 RoHS: 詳細資料 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SOT-23-8 輸出電壓: Adjustable 輸出電流: 100 mA 輸出數: 1 Output 極性: Positive 靜止電流: 40 uA 最小輸入電壓: 1.6 V 最大輸入電壓: 45 V PSRR/脈衝抑制 - 標準值: 85 dB 輸出類型: Adj
