LPC824M201JHI33Y
LPC824M201JHI33Y,制造商: NXP 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: LPC82x 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: HVQFN-33 核心: ARM Cortex M0+ 程序存储器大小: 32 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 30 MHz 输入/输出端数量: 29 I/O 数据 RAM 大小: 8 kB 电源电压-最小: 1.8 V
LPC824M201JHI33Y,制造商: NXP 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: LPC82x 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: HVQFN-33 核心: ARM Cortex M0+ 程序存储器大小: 32 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 30 MHz 输入/输出端数量: 29 I/O 数据 RAM 大小: 8 kB 电源电压-最小: 1.8 V
TSR 1-2433E,制造商: TRACO Power 产品种类: 非隔离式DC/DC转换器 RoHS: 详细信息 安装风格: Through Hole 产品: Non-Isolated / POL 输出端数量: 1 Output 输出功率: - 输入电压(最小值): 6 V 输入电压(最大值): 36 V 输出电压—通道1: 3.3 V 输出电流—通道1: 1 A 输出电压—通道2: - 输出电流—通道2: - 最小工作温度: - 40 C 最
晶圆代工迎来一场“硬战”?,朱峻咸分析:近日,在韩国科学技术院(KAIST)的演讲中,三星电子芯片业务负责人Kyung Kye-hyun表示,三星将在五年内超越竞争对手台积电,在芯片代工领域处于领先地位。除了三星,重回代工领域的英特尔也放言,在2030年之前成为该市场的第二大玩家。代工市场硝烟起,市场地貌又将如何重塑? 01三星放言:5年内超越台积电 据资料显示,Kyung Kye-hyun表示,当下台积电在芯片制造方面远远领先于三星。他认为三星需要五年时间才能赶上并超过台积电,尽管两家公司目前都在生
PM-R44P,参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 PM-44 零件状态 停產 感应距离 0.197"(5mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 15mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块,引线,槽型
L9301-TR ,制造商: STMicroelectronics 类别: 集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器 系列: Automotive, AEC-Q100 包装: 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 开关类型: 通用 输出数: 12 输出配置: 高压侧或低压侧 输出类型: N 通道 接口: SPI,并联 电压 - 负载: 5V ~ 18V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 4.75
GP1S096HCZ0F,参数信息 参数 参数值 包装 管件 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.039"(1mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 35V 响应时间 50µs,50µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
PM-R44P,参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 PM-44 零件状态 停產 感应距离 0.197"(5mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 15mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块,引线,槽型
EE-SX1025,参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.110"(2.8mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 响应时间 4µs,4µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
EE-SX1025,参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 - 零件状态 有源 感应距离 0.110"(2.8mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 响应时间 4µs,4µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
PM-R44P,参数信息 参数 参数值 包装 散装 系列 PM-44 零件状态 停產 感应距离 0.197"(5mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 PNP - 暗光/亮光 - 可选 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 15mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V 响应时间 20µs 工作温度 -25°C ~ 55°C 安装类型 底座安装 封装/外壳 模块,引线,槽型
GP1S096HCZ0F,参数信息 参数 参数值 包装 管件 系列 - 零件状态 停產 感应距离 0.039"(1mm) 感应方法 穿透光束 输出配置 光电晶体管 电流 - DC 正向(If) 50mA 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 35V 响应时间 50µs,50µs 工作温度 -25°C ~ 85°C 安装类型 通孔 封装/外壳 PCB 安装
Si4816BDY-T1-E3原包原装,强势威世,Si4816BDY-T1-E3原包原装,强势威世 代理现货Si4816BDY-T1-E3供应 有关咨询Si4816BDY-T1-E3价格 Si4816BDY-T1-E3供货情况 Si4816BDY-T1-E3库存数量 Si4816BDY-T1-E3规格书 Si4816BDY-T1-E3产品购买,请联系! 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风
晶圆代工迎来一场“硬战”?,近日,在韩国科学技术院(KAIST)的演讲中,三星电子芯片业务负责人Kyung Kye-hyun表示,三星将在五年内超越竞争对手台积电,在芯片代工领域处于领先地位。除了三星,重回代工领域的英特尔也放言,在2030年之前成为该市场的第二大玩家。代工市场硝烟起,市场地貌又将如何重塑? 01三星放言:5年内超越台积电 资料显示,Kyung Kye-hyun表示,当下台积电在芯片制造方面远远领先于三星。他认为三星需要五年时间才能赶上并超过台积电,尽管两家公司目前都在生产3nm半导体
216990-0002莫仕原装现货,216990-0002莫仕原装现货 代理现货216990-0002供应 有关咨询216990-0002价格 216990-0002供货情况 216990-0002库存数量 216990-0002规格书 216990-0002产品购买,请联系! 品属性 属性值 选择属性 制造商: Molex 产品种类: USB连接器 RoHS: 详细信息 产品: USB Type C Connectors 类型: Type C 型式: Recepta
是否Rohs认证符合生命周期ActiveObjectid7318751911是否符合REACH标准unknownECCN代码EAR99风险等级7.69其他特性REMOTE SHUTDOWN模拟集成电路 - 其他类型DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE认证UL效率(主输出)89%高度27 mm最大输入电压36 V最小输入电压9 V标称输入电压24,是否Rohs认证符合生命周期ActiveObjectid7318751911是否符合REACH标准unknownECCN
公司库存现货 需要的随时欢迎 咨询,公司优势库存,欢迎咨询 THC63LVD827 ICN6211 MSP430F247TPMR FD6288T FU6861Q CYBLE-012011-00 CY8C20447S-24LQXI M24C64-WMN6TP SST3904T116 SPK0415HM4H-B V275LA4P TLP2361 B3U-3000P 820572711 ELL5PR1R2N BCR401U FD2606S SP213ECA-L/TR DTA
走过路过 ,不要错过,欢迎咨询联系,优势库存 AD現貨 AD ADP5300ACPZ-1-R7 1500 AD ADXL355BEZ-RL7 1600 AD OP297GSZ-REEL 2500 AD ADUM2251ARWZ-RL 1000 AD ADM211EARSZ-REEL 1500 AD AD7888ARZ-REEL7 1000 AD ADG731BCPZ-REEL7 1500 AD ADG1419BRMZ-REEL7 3000 AD AD8656ARMZ-REEL 4
芯资讯:晶圆代工迎来一场“硬战”?,董事长朱峻咸分析:近日,在韩国科学技术院(KAIST)的演讲中,三星电子芯片业务负责人Kyung Kye-hyun表示,三星将在五年内超越竞争对手台积电,在芯片代工领域处于领先地位。除了三星,重回代工领域的英特尔也放言,在2030年之前成为该市场的第二大玩家。代工市场硝烟起,市场地貌又将如何重塑? 01三星放言:5年内超越台积电 据华雄集团资料显示,Kyung Kye-hyun表示,当下台积电在芯片制造方面远远领先于三星。他认为三星需要五年时间才能赶上并超过台积电,
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LMH6643MM/NOPB 进口原装现货假一罚,我是大源实业科有限公司 现在公司库存现货 有需要可以随时联系 电话0755-84867670 微信同号 18098990341 库存现货 TI LMS1587IS-3.3/NOPB SN74HC02DBR SN74AC245PWR LMS1587IS-3.3/NOPB LMX2571NJKR SN74AC245PWR SN74AHCT1G86DCKR 欢迎致电 谢谢
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芯片 电子 产品 销售买卖 ,优势库存 SN65HVD234DR SN74AHCT00QDRQ1 SN74LVC2T45QDCURQ1 CD4010BQDRQ1 SN74LVC8T245QPWRQ1 SN74LVC3G07QDCURQ1 LSF0204QPWRQ1 LM2903AVQDRQ1 TPS65100QPWPRQ1 TPS65100PWPR TLV70218QBVRQ1 TPSB6933QDBVRQ1
STW26NM60N ST TO-247 24000PCS,STW26NM60NN参数:服务器电
STM32WB55CEU6 STM32WB55CEU6TR UFQFPN-48 ARM微控制器 - MCU,产品属性 属性值 选择属性 制造商: STMicroelectronics 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: STM32WB 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: UFQFPN-48 核心: ARM Cortex M0+, ARM Cortex M4 程序存储器大小: 512 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 b