HY27UF081G2A
功能摘要
高密度NAND闪存
- 成本效益的解决方案,为大容量存储的应用
NAND接口
- x8或x16总线宽度。
- 复用的地址/数据
- 适用于所有密度引脚兼容
快速块擦除
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)
状态寄存器
电子签名
- 第一个周期:制造商代码
- 第二个周期:设备代码
电源电压
- VCC = 2.7〜 3.6V : HY27UFxx1G2A
存储单元阵列
= ( 2K + 64 )字节×64页×1024块
= ( 1K + 32 )字节×64页×1024块
PAGE SIZE
- X8设备: ( 2K + 64备用)字节
: HY27UF081G2A
- X16设备: ( 1K + 32备用)字节
: HY27UF161G2A
数据保留
- 100,000编程/擦除周期(有1位/ 528byte的ECC )
- 10年的数据保留
包
- HY27UF ( 08/16 ) 1G2A -T ( P)
: 48引脚TSOP1 ( 12 ×20 ×1.2 MM)
- HY27UF ( 08/16 ) 1G2A -T (铅)
- HY27UF ( 08/16 ) 1G2A -TP (无铅)
- HY27UF081G2A S( P)的
: 48引脚USOP1 ( 12 ×17× 0.65毫米)
- HY27UF081G2A -S (主承销商)
- HY27UF081G2A -SP (无铅)
- HY27UF081G2A -F (P)的
: 63球FBGA ( 9 ×11 ×1.0 MM)
- HY27UF081G2A -F (主承销商)
- HY27UF081G2A -FP (无铅)
- 第三周期:内部芯片数量,细胞类型,数目
同时编程页面。
- 第四周:页面大小,块大小,组织,备用
SIZE
序列号选项
CHIP ENABLE DO NOT CARE
- 简单的界面西斯微控制器
BLOCK SIZE
- X8设备: ( 128K + 4K备用)字节
- X16设备: ( 64K + 2K备用)词
PAGE读取/编程
- 随机访问: 25US (最大)
- 顺序存取:为30ns (分钟)
- 页编程时间: 200us的(典型值)。
复制回编程模式
- 快速页复印,无需外部缓冲
缓存计划
- 内部( 2048 + 64 )字节的缓冲区,以提高程序
吞吐量
http://ycxic.114ic.com