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2ED2732S01GXTMA1 该器件基于 SOI 技术,支持自举供电,具备独立高低压欠压锁定(UVLO)

2026-1-18 9:02:00
  • 2ED2732S01GXTMA1 是英飞凌(Infineon)MOTIX™系列的 160V 高压侧 / 低压侧 SOI 栅极驱动器,集成超快自举二极管,采用 3×3mm VSON10 封装,专为 N 沟道 MOSFET 驱动设计,适用于工业与消费级低压电机驱动及电池供电设备。

2ED2732S01GXTMA1 该器件基于 SOI 技术,支持自举供电,具备独立高低压欠压锁定(UVLO)

一,核心概述

该器件基于 SOI 技术,支持自举供电,具备独立高低压欠压锁定(UVLO)、施密特触发输入、脉冲 / 噪声抑制滤波器,兼容 3.3V/5V 逻辑,输出与输入同相,ESD 等级达 2kV HBM,符合 RoHS 标准,工业级 JEDEC 认证。

二,关键参数(典型值,除非注明)

1,驱动能力:峰值源电流 IO+_pk=1A,峰值灌电流 IO-_pk=2A。

2,电压规格:自举电压 VB 最大 160V;VCC 工作范围 8V~18V,UVLO 阈值 VCC_UVLO+≈7.2V、VCC_UVLO-≈6.8V;VBS_UVLO+≈7.2V、VBS_UVLO-≈6.8V。

3,时序特性:传播延迟(typ)30ns;导通延迟 tON / 关断延迟 tOFF(typ)均为 50ns;延迟匹配(max)15ns;上升时间 tR(10%~90%,1nF 负载)10~30ns;下降时间 tF(90%~10%,1nF 负载)7~20ns。

4,输入特性:高电平阈值 VIH(typ)2.0V,低电平阈值 VIL(typ)0.8V,迟滞约 0.8V;输入下拉电阻确保浮空输入时输出为低。

5,封装与环境:VSON10(3×3mm);工作温度 - 40℃~125℃;存储温度 - 55℃~150℃;2kV HBM ESD;无铅环保。

三,典型应用与选型提示

1,应用场景:商用 / 农用无人机、服务机器人、仓储物流车辆(如电动叉车)、电池供电手持工具、园艺 / 户外动力设备(OPE)等 160V 以下半桥驱动场景。

,2,选型要点:若需更大驱动电流,可考虑同系列 2ED2738S01D(更高电流);若电压需求超 160V,需选择更高耐压系列(如 2ED27xx 200V 版本)。

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