IS61LV25616AL-10BLI集成电路 SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 48-TFBGA（8x10）

存储器格式

SRAM

技术

SRAM - 异步

存储容量

4Mb

存储器组织

256K x 16

存储器接口

并联

写周期时间 - 字，页

10ns

访问时间

10 ns

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

工作温度

-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

48-TFBGA

供应商器件封装

48-TFBGA（8x10）

基本产品编号

IS61LV25616