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IS61LV25616AL-10BLI集成电路SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 48-TFBGA(8x10)

2025-8-11 9:31:00
  • IS61LV25616AL-10BLI

IS61LV25616AL-10BLI集成电路SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb 并联 10 ns 48-TFBGA(8x10)

零件状态在售

DigiKey 可编程未验证

存储器类型易失

存储器格式SRAM

技术SRAM - 异步

存储容量4Mb

存储器组织256K x 16

存储器接口并联

写周期时间 - 字,页10ns

访问时间10 ns

电压 - 供电3.135V ~ 3.6V

工作温度-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型表面贴装型

封装/外壳48-TFBGA

供应商器件封装48-TFBGA(8x10)

基本产品编号IS61LV25616